Испытуемый транзистор включается по схеме с общим эмиттером. Напряжение источника ступенчато изменяется в указанных пределах, таким образом, чтобы Ik=U2/Rk не выходил существенно за значение Ikm. На экране строится зависимость Iк (Iб), вычисляется коэффициент усиления по току на крутом участке зависимости, а также напряжение коллектор - эмиттер при насыщении Uкэ0. Съем характеристики продолжается не более 1 секунды, после чего устанавливается Ik=0, так что объект не успевает заметно нагреться.
