|
Испытуемый транзистор включается по схеме с общей базой. Напряжение источника ступенчато изменяется в указанных пределах. На экране строится зависимость Iк (Iб), вычисляется коэффициент усиления по току на крутом участке зависимости, а также напряжение коллектор - эмиттер при насыщении Uкэ0. |
